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集成
集成

在这里,这是真的。

它的量产从40nm开始。

许可我们的IP,集成Crossbar ReRAM到您的下一个IC设计中。 为您的特定应用,获得能耗,性能,容量和功能的理想组合。

ReRAM IP内核用于系统级芯片

合作
合作

让我们帮您重新思考系统设计方法。

与我们合作,创新利用Crossbar ReRAM。 我们正在寻找创新公司与我们合作,发明存储和计算的未来。

我们才刚刚开始

探索
探索

1/20,100倍,1000倍

对传统存储技术根本性的创新

由于其简单的结构,ReRAM可以缩小到小于10nm工艺,用3D叠加,可以直接集成在同一晶圆厂家的逻辑芯片里。 使用ReRAM可以获得1/20的能耗; 1000倍的耐用性; 100倍的读取性能; 1000倍的写入性能,在单个芯片上存储万亿字节数据。

有无限的可能性来思考存储和计算。

想像
想像

新世界正在曙光出现。

数十亿个传感器; 物联网;数据中心在远方存储,处理和传送数据到云端。 但新世界需要新技术。 使用Crossbar ReRAM,客户不仅可以提供“大”数据,还将享受节能,安全,卓越的性能和低延迟,使这个新的世界成为可能。